铁电存储器和flash的区别 FRAM工作原理解析
铁电存储器（FeRAM）和闪存（Flash）是两种常见的非易失性存储器类型，它们之间的区别如下：
1. 工作原理：铁电存储器使用铁电材料，在电场的作用下，能够在存储器单元中建立和改变稳定的电荷状态，从而实现数据的存储和读取。而闪存利用电荷累积和擦除来存储数据，通过改变介质中的电荷状态来实现数据的存储和读取。
2. 存取速度：铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
3. 耐久性：闪存在擦写操作上有一定的次数限制，每个存储单元的擦写寿命有限，常见的闪存擦写次数约为10万到数百万次。而铁电存储器的擦写寿命通常比闪存更长，可以达到亿级的擦写次数。
