mos管和igbt的区别
MOS管和IGBT的主要区别如下：
1. 结构：MOS管（MOSFET）是场效应管的一种类型，具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等特性。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
2. 应用场景：MOS管适用于高频、低压、较小输出功率的场合，而IGBT适用于低频、较高电压、较大输出功率的场合。
3. 导通电阻：MOS管的导通电阻较大，而在高压大电流场合功耗较大；IGBT的导通电阻较小，耐压高。
4. 体二极管：MOS管内部可能有一个二极管，称为体二极管或寄生二极管，其作用是防止过压情况下烧坏MOS管。IGBT也可能有体二极管，但需要参考官方资料或从原理图上标注的型号来判断。
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，工作频率高，缺点是导通电阻大，在高压大电流场合功耗较大；IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
